三星与SK海力士正加速将既有产能转向高端DRAM及高频宽存储（HBM）领域，明显压缩NANDFlash的生产比重。两大存储巨头今年同步大幅下调NAND芯片产量，其中三星全年NAND产出甚至低于此前景气低迷时期水平，导致全球NAND芯片市场供给持续吃紧，价格再度快速上扬。市场普遍预期，在此背景下，全球NAND芯片供给的结构性缺口将进一步扩大，增幅约为3%至4%。当前NAND芯片本就处于严重供不应求状